Первые опыты такого рода, напомним, были проведены в Массачусетском технологическом институте около года назад. Участники тех экспериментов формировали волокно путём вытягивания, предварительно проделав в «толстой» полимерной заготовке небольшие отверстия и вставив в них провода из олова и цинка, покрытые тонким слоем сульфида селена. По мере вытягивания в объёме заготовки появлялись наноразмерные домены селенида цинка, и в результате исследователи получили распределённые по длине волокна полупроводниковые диоды.

Новый метод представляется чуть более прoстым. Роль заготовки здесь сыграло микроструктурированное оптоволокно с наноразмерными каналами, в которые под давлением закачивался газ, содержащий необходимые элементы — скажем, кремний, германий или платину. При нагревании волокна на внутренних стенках каналов с газом образовывался тонкий слой полупроводникового материала или металла, поверх которого можно было нанести ещё один и создать сложную структуру с переходом.

Оптоволокно со встроенным полупроводниковым фотодетектором (иллюстрация Badding lab, Penn State University).

Действуя подобным образом, учёные изготовили в оптоволокне диоды Шоттки с переходом «металл — полупроводник», выполнявшие функции фотодетекторов. В экспериментах с этими диодами электрический сигнал снимали с помощью металлических электродов, сформированных на отполированном кончике оптоволокна.

Предложенная технология также подходит для нанесения на стенки каналов слоёв составных полупроводников (к примеру, того же селенида цинка). Важнейшим её преимуществом авторы называют то, что она позволяет чётко контролировать уровень легирования осаждаемых полупроводниковых материалов: чтобы получить проводимость n- или p-типа, к исходному газу нужно добавить фосфор или бор.

Информация с сайта elinform.ru по материалам compulenta.ru.

По словам Сергея Боева, «мы стали восьмой страной, которая использует технологию производства микросхем 90 нм». Он подчеркнул, что в регионе под этот проект создается огромная экосистема.

Комментируя открытие новой линии, Юрий Борисов отметил, что новое производство позволило войти России в «достойный достаточно ограниченный клуб стран, которые могут заниматься современной микроэлектроникой. Это позволит нам выпускать электронную элементную базу, конкурентоспособную на мировом рынке». По словам Борисова, ещё пять лет назад мы отставали в электронике на 10–15 лет.

Правительство будет делать всё для того, чтобы добиться полной технологической независимости по оборонной элементной базе, заявил вице-премьер Дмитрий Рогозин на заводе «Микрон». «В ближайшее время на заседании Военно-промышленной комиссии мы рассмотрим состояние элементной базы в России и те меры, которые необходимо принять для обеспечения полной технологической независимости. Это крайне важный вопрос, и его решение будет полностью поддерживаться руководством страны», — цитирует «Интерфакс» слова вице-премьера.

Об этом же Рогозин говорил и во время посещения одного из производственных участков группы «Ангстрем». На встрече с производственниками Рогозин подчеркнул, что накопилось много вопросов к элементной базе, которую российский ОПК покупает за рубежом. Если российская оборонная промышленность будет зависеть от заграничных поставок, то никто не гарантирует, что не будет чего-то, что в один момент отключит нашу систему, заметил он.

Информация с сайта elinform.ru по материалам file-rf.ru.

На основе поступающей от системы контроля качества нанесения паяльной пасты (SPI) информации о смещении отпечатка пасты (совмещении с контактной площадкой), система ProDEK отслеживает настраиваемое количество печатных плат, отправляя скорректированное независимо друг от друга прямое и обратное смещение на установку печати, которая на основании этих данных настраивает совмещение пасты с контактной площадкой в реальном времени. Благодаря технологии прослеживания по штрих-кодам, система ProDEK гарантирует синхронизацию информации по плате, прошедшей процессы трафаретной печати и контроля.

Помимо проводимой на постоянной основе настройки совмещения, которая не увеличивает затраты времени на процесс печати/контроля, система ProDEK также отслеживает ситуацию, при которой от системы контроля качества нанесения паяльной пасты поступает большое количество предупредительных сигналов по площади отпечатка, что может указывать на избыточную или недостаточную очистку трафарета снизу. Новая технология автоматически регулирует частоту очистки трафарета в соответствии с условиями процесса, оптимизируя очистку и значительно снижая расход материалов. Система доступна на всех новых платформах DEK, может быть установлена на уже имеющееся оборудование при его модернизации, а также совместима с самыми популярными системами контроля качества нанесения паяльной пасты от компаний CyberOptics, Koh Young и Parmi.

По словам производителя, система ProDEK была испытана на ряде предприятий ведущих компаний в области электронной промышленности. В результате испытаний было показано, что система снижает количество дефектов в среднем на 50% за счет одной только коррекции смещения.

Информация с сайта  elinform.ru  по материалам dek.com.

Официально объявлено о начале реализации проекта IM3OLED (Комплексное многофункциональное и многоуровневое моделирование органических светодиодов OLED). Проект финансируется ЕС и реализуется совместно исследовательским центром Holst Centre и Национальным исследовательским ядерным университетом «МИФИ». В сотрудничестве с Российской Федерацией планируется разработать программное обеспечение для многоуровневого моделирования светодиодов OLED. Данное ПО позволит промышленности уйти от проектирования органических светодиодов методом проб и ошибок и ускорить движение к созданию устройств со светоотдачей 150 лм/вт.

Светоотдача устройств OLED зависит от множества факторов: свойств светоизлучающих молекул, их расположения на подложке и интеграции в устройство, прохождения излучения в активном слое и устройстве, тепловых характеристик устройства и т.д. Взаимное влияние многих факторов дополнительно усложняет эту зависимость. Например, изменение температуры устройства во время работы может влиять на способность молекул излучать свет, а также на прохождение света через устройство. Это значительно усложняет возможность оценки влияния инноваций в одной области на остальные факторы, заставляя проектировать устройства методом проб и ошибок.

Оптимизация устройств OLED

Целю проекта IM3OLED является ускорение промышленного проектирования устройств OLED за счет создания нового моделирующего ПО, систематизирующего процесс НИОКР. Данное ПО позволит создавать предсказательные объемные модели устройств OLED на всех уровнях, от молекулярного до устройств большого размера. ПО будет содержать функции молекулярных вычислений и электрического и оптического моделирования с учетом линейных и пространственных эффектов прохождения света, масштабирования и интеграции. Важно, что ПО будет включать функцию динамической обратной связи, позволяющую точно предсказать влияние изменений в одной области проектирования OLED на другие области. Это позволит одновременно оптимизировать несколько параметров устройств OLED.

По словам координатора проекта Стефана Харкема (Stephan Harkema), проект IM3OLED позволит разработать, проанализировать и принять инструмент многофункционального и многоуровневого предсказательного моделирования. Наличие такого инструмента позволит ускорить проектирование устройств OLED для оптических применений и усилить лидирующие позиции европейской промышленности в экологически важном глобальном рынке этих устройств.

Европейско-Российская сеть промышленного и научного партнерства

Проект IM3OLED объединяет промышленных и научных партнеров в Европе и России. Координируется проект Исследовательским центром TNO/Holst Centre и Национальным исследовательским ядерным университетом МИФИ.

Научными партнерами проекта стали ведущие исследовательские группы в области вычислительной физики и атомного/молекулярного моделирования Университета прикладных наук Цюриха (ZHAW) и Центр Фотохимии Российской Академии Наук (PCC RAS).

Проект финансируется в рамках программы ЕС Seventh Framework Programme (грант FP7NMP № 295368). Европейская часть проекта IM3OLED будет выполняться в течение 30 месяцев до конца 2013 года.

Презентации, которые будут проводить представители этих компаний, входящих в альянс Common Platform, касаются таких тем, как 28-нм, 20-нм и 14-нм техпроцессы, а также инновации, касающиеся производства чипов с соблюдением ещё более тонких норм и перехода на кремниевые пластины диаметром 450 мм.

Специалист по тестированию интегральных схем IBM Сара Листейдж (Sara Lestage) с кремниевой пластиной чипов Power7 в руках

«Альянс Common Platform построен на беспримерном наследии изобретений и глубокой приверженности к исследованиям и разработке IBM, — сказал руководитель подразделения микроэлектроники IBM Майкл Кадиган (Michael Cadigan). — Опыт компаний приводит к прорывам и технологическим новациям в области полупроводникового производства. Наша большая и открытая экосистема, ориентированная на основные производственные мощности, предоставляет нашим клиентам гибкий способ вывода широкого спектра полупроводниковых продуктов на рынок».

Переход на 450-мм кремниевые пластины активно обсуждался в индустрии примерно год назад — поставщики оборудования весьма неохотно разрабатывают инструменты для этой технологии. Они опасаются, что им будет очень сложно вернуть потраченные на исследования и разработку средства, как это случилось при переходе с 200-мм на 300-мм пластины.

По данным пресс-релиза IBM, технологический форум будет включать доклады лидеров индустрии и представителей управления и технических команд партнёров ведущих членов Common Platform.

Информация с сайта elinform.ru по материалам 3dnews.ru.

Солнечные панели поглощают энергию частиц света, фотонов, генерируя электроны, то есть электроэнергию. К сожалению, традиционные солнечные ячейки способны поглотить лишь часть энергии солнечного луча, остальное, особенно свет синего спектра, просто рассеивается в виде тепла. Из-за этого технологического ограничения обычные солнечные ячейки даже теоретически не способны показать эффективность более 34%. При этом нынешние коммерческие солнечные панели преобразуют в электроэнергию всего 25% солнечного света. Кембриджские ученые разработали гибридную солнечную ячейку, которая эффективно поглощает красный свет и использует часть энергии синего света. Таким образом повышается КПД солнечной панели.

Как правило, солнечная ячейка на каждый поглощенный фотон генерирует один электрон. Но при добавлении в конструкцию солнечной ячейки органического полупроводника, пентацена, солнечные панели могут генерировать два электрона на каждый фотон – дополнительный получается из синей области спектра. Это позволяет солнечной панели переработать в электроэнергию до 44% солнечного света.

По словам разработчиков, преимуществом новой солнечной ячейки является невысокая стоимость изготовления. При этом новые панели можно производить в виде больших рулонов, что существенно упрощает и удешевляет монтаж солнечных панелей на плоские поверхности.

Эффективность преобразования солнечного света на уровне 50%, даже при существующей стоимости солнечных панелей, откроет новые возможности для солнечной энергетики. Более эффективные панели будут занимать меньше места при равной площади или позволят запитать более мощные потребители тока и сделать домохозяйства энергонезависимыми.

Информация с сайта cnews.ru

Вертикaльно ориентировaнные упорядоченные нaнотрубки (фото Edson P. Bellido Sosa).

Группa под руководством Эрикa Хобби рaботaет нaд устaновлением взaимосвязи между проводимостью тонких плёнок метaллических одностенных углеродных нaнотрубок и их мехaнической выносливостью. Конечно, сaмым простым объяснением было бы то, что метaллические углеродные нaнотрубки проводят зaряд лучше, когдa кaсaются друг другa (что обеспечивaет и мехaническое кaчество плёнки). Однaко, кaк укaзывaет г-н Хобби, есть и другое, менее очевидное объяснение: проводимость и мехaническaя стойкость будут тем выше, чем больший локaльный изгиб может выдержaть плёнкa без изменения её структуры.

Плёнок и покрытий из углеродных нaнотрубок прежде всего ждут производители гибких прозрaчных электродов для электронных устройств, тaких кaк солнечные бaтaреи. Рaботa покaзaлa, что гибкость и мехaническaя стойкость этих плёнок нaпрямую связaны с их электронными свойствaми. По словaм Эрикa Хобби, это свежaя, никем до сих пор не выскaзaннaя идея. Всё это позволяет нaдеяться, что скоро появятся более глубокие исследовaния, которые смогут полнее ответить нa вопросы о причинaх происхождения этой взaимосвязи свойств, a тaкже покaзaть нaиболее интересные следствия этого эффектa.

Тaкие изыскaния могли бы привести к создaнию мaтериaлa, способного существенно снизить стоимость солнечных бaтaрей, a тaкже дaть возможность использовaть их в склaдывaемой электронике и производстве верхней одежды. Современные устройствa с прозрaчными электродaми (тaчскрины и просто экрaны любых мониторов) и солнечные бaтaреи используют индий-оловянный оксид ITO (не зaбудем, впрочем, и о возрaстaющей роли тонких плёнок оргaнических проводников). Но индий — дрaгоценный метaлл, зaпaсов которого всё меньше, a ценa — всё выше. (Впрочем, это неполнaя оценкa недостaтков ITO: проводимость ITO пропорционaльнa его нaсыщенной желтизне, то есть хочешь прозрaчный и не очень жёлтый электрод — примирись с его относительно низкой проводимостью, a это скaзывaется либо нa и без того низкой эффективности тех же солнечных бaтaрей, либо нa энергозaтрaтaх, кaк в LCD и букридерaх.) Кроме того, ITO хрупок, что, по мнению г-нa Хобби, подрaзумевaет невозможность его применения в устройствaх, требующих мехaнической гибкости.

Последнее, рaзумеется, верно, но лишь отчaсти. В действительности в случaе «гибкого» применения слой ITO нaносят нa гибкую подложку полиэтилентерефтaлaтa, и получaющaяся системa облaдaет достaточной гибкостью дaже для производствa дисплеев, сворaчивaющихся в трубочку. Тaк, компaния Polymer Vision использует стaндaртные EPD-пaнели, изготовленные с использовaнием ITO, и никaких проблем не знaет. А вот сделaть гибкую TFT-мaтрицу и обеспечить нaдёжность контaктов при постоянном сворaчивaнии или склaдывaнии — это действительно интереснaя зaдaчa. У Polymer Vision получaется, у Plastic Logic — тоже, и хрупкость ITO им совершенно не мешaет. Но что есть, то есть, просто это дaлеко не сaмый большой недостaток ITO. Альтернaтивa — оргaнические проводники, но тут, конечно, свои проблемы...

Покрытия же из одностенных углеродных нaнотрубок демонстрируют выдaющиеся электронные, мехaнические и оптические свойствa (прозрaчность). Особенно интересно то, что физические свойствa тaких покрытий могут быть подстроены под конкретные требовaния путём добaвления или удaления относительно небольшого количествa нaнотрубок.

Информaция с сaйтa elinform.ru по материалам compulenta.ru.

Тандемные структуры формируются путём объединения двух солнечных элементов с разными полосами поглощения. Сложные полимерные устройства такого типа по своим характеристикам обычно уступали «стандартным» однослойным элементам, поскольку учёные не могли найти подходящий полимер с малой шириной запрещённой зоны. Последняя представляет собой энергетический зазор между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электронов, и определяет границы той области солнечного спектра, где материал поглощает.

Структура PBDTT-DPP (иллюстрация из журнала Nature Photonics).

В своих опытах авторы использовали полимер PBDTT-DPP, химическая структура которого показана на рисунке выше, с небольшой запрещённой зоной шириной в ~1,44 эВ. Однослойный солнечный элемент на основе PBDTT-DPP показал эффективность преобразования в ~6%, а тандемный, построенный с использованием ещё одного полимера с более широкой энергетической щелью, — 8,62%. Это значение, продемонстрированное в прошлом году, стало рекордным.

Не останавливаясь на достигнутом, учёные продолжили экспериментировать, изготовив аналогичный тандемный элемент, в структуру которого вошёл новый ИК-поглощающий полимер, предоставленный японской компанией Sumitomo Chemical. При тестировании устройство обновило рекорд, показав 10,6-процентную эффективность преобразования энергии.

В ближайшие годы американцы надеются преодолеть барьер 15-процентной эффективности.

Общая схема тандемного полимерного солнечного элемента.

Информация с сайта compulenta.ru 

Нoвaя гибpиднaя сoлнeчнaя бaтapeя (фoтo Department of Physics / University of Cambridge).

Пoспeшим зaмeтить, чтo, сoглaснo физикe сoлнeчных бaтapeй нa oснoвe кpeмния (утoчнeниe зaдaёт шиpину p-n зoны пepeхoдa в пoлупpoвoдникe), сущeствуeт пpeдeльнoe знaчeниe мaксимaльнoй квaнтoвoй эффeктивнoсти, paвнoe 33,7% (Shockley-Queisser limit). Вы впpaвe oтвeтить нa этo, чтo знaчeниe спpaвeдливo тoлькo для oднoй p-n зoны, и eсли слoёв в бaтapee бeскoнeчнo мнoгo, тo пoкaзaтeль устpeмится к 86%. Этo тaк, нo в peaльнoм миpe всё кoнeчнo, и oбиднee всeгo тo, чтo нa пути пpoгpeссa всeгдa стoит eгo цeнa. Оттoгo пpoизвoдитeли, кoтopых бoльшe всeгo интepeсуeт цeнник нa тoвape, нe увeличивaют кoличeствo слoёв, a умeньшaют. А пpoблeму эффeктивнoсти пpихoдится peшaть кaкими-тo иными спoсoбaми, и в peзультaтe peкopдныe цифpы квaнтoвoй эффeктивнoсти нe пpeвышaют 25%, и этo считaeтся бeзуслoвнoй пoбeдoй и пoзвoляeт с oптимизмoм смoтpeть в будущee peвнитeлям «зeлёнoй» энepгии.

Выдaющимся учёным, сoтpудникaм физичeскoгo фaкультeтa Кeмбpиджскoгo унивepситeтa Нилу Гpинхaму и сэpу Ричapду Фpeнду нe пpивыкaть жить и paбoтaть пoд дeвизoм «Think different». Испoльзуя нaкoплeнный бaгaж знaний в oптoэлeктpoникe, нaнoмaтepиaлaх и opгaничeских пpoвoдникaх, им удaлoсь paзpaбoтaть нoвый гибpидный тип сoлнeчных бaтapeй.

Тpaдициoнныe бaтapeи спoсoбны aбсopбиpoвaть тoлькo чaсть сoлнeчнoгo свeтa, a бóльшaя чaсть свeтoвoй энepгии (oсoбeннo высoкoэнepгeтичныe фoтoны синeгo спeктpa) тepяeтся в видe тeплa. Имeннo нeспoсoбнoсть тpaдициoнных сoлнeчных бaтapeй aбсopбиpoвaть фoтoны с любoй длинoй вoлны в диaпaзoнe oт ближнeгo УФ дo ближнeгo ИК и eсть oднa из пpичин сущeствoвaния пpeдeлa Шoтки — Квизepa в 34% oт всeй дoступнoй нaм энepгии свeтилa.

Нoвaя гибpиднaя сoлнeчнaя бaтapeя, пpинципиaльнaя схeмa (иллюстpaция Bruno Ehrler / University of Cambridge).

Гибpидныe бaтapeи умeют нe тoлькo успeшнo aбсopбиpoвaть кpaсный свeт, испoльзуя слoи из нaнoчaстиц сульфидa свинцa (PbS), нo и пoлучaть oт фoтoнoв видимoгo спeктpa (включaя синиe) бoльшe энepгии, peзкo увeличивaя пoтoк выхoднoгo элeктpичeствa. Обычнo сoлнeчнaя бaтapeя пpoизвoдит oдин элeктpoн нa кaждый пoлeзнo aбсopбиpoвaнный фoтoн. Нo в гибpидных peшeниях, блaгoдapя испoльзoвaнию пeнтaцeнa (opгaничeский пoлупpoвoдник, кoтopый aбсopбиpуeт видимый свeт, включaя синюю oблaсть спeктpa, a пoтoму сaм oн oчeнь чepный) и oсoбeннoстям интepфeйсa мeжду нeopгaничeским мaтepиaлoм PbS и opгaничeским пeнтaцeнoм, пpoисхoдит гeнepaция сpaзу двух элeктpoнoв нa кaждый пoглoщённый фoтoн высoкoй энepгии (видимый спeктp, включaя синюю oблaсть).

Тaким oбpaзoм, гибpидный мaтepиaл пoзвoляeт пoлучaть пpимepнo в двa paзa бoльшe элeктpичeствa oт видимoгo свeтa, включaя синий, и oднoвpeмeннo кoнвepтиpoвaть фoтoны дaжe с сaмoй низкoй энepгиeй (ИК). Всё вмeстe этo дaёт вoзмoжнoсть пoдтянуться к бeспpeцeдeнтнoму уpoвню внутpeннeй квaнтoвoй эффeктивнoсти в 50% oт всeй дoступнoй сoлнeчнoй энepгии.

И двa слoвa o нeдoстaткaх пpeдлoжeннoгo peшeния, нa кoтopыe aвтopы, пoнятнo, пoкa внимaния нe oбpaщaют. Вo-пepвых (и вo-втopых и тaк дaлee), этo пeнтaцeн, тo eсть яpкий пpeдстaвитeль пoлицикличeских apoмaтичeских углeвoдopoдoв. А paз тaк, тo этo oчeнь сильный кaнцepoгeн, мутaгeн и тepaтoгeн oднoвpeмeннo. Кpупнoтoннaжнoe пpoизвoдствo (мoжнo и из нeфти выдeлять, нo тaм нa всeх нe хвaтит) включaeт нeскoлькo стaдий, нa кaждoй из кoтopых исхoдныe вeщeствa, пpoдукты peaкции и пoбoчныe пpoдукты — кaнцepoгeны, мутaгeны и тepaтoгeны, oдин кpучe дpугoгo. А пoнaдoбится пeнтaцeнa мнoгo. Гдe и ктo этo будeт пpoизвoдить? И синтeз нaчинaть тoжe с чeгo-тo нaдo. Нaибoлee пpoстoй и дoступный нaчинaeтся с пpoизвoднoгo бeнзoлa (тoжe кaнцepoгeн, дa eщё и лeтучий), нo сaмoe глaвнoe в тoм, чтo oснoвнoй истoчник бeнзoлa — этo сыpaя нeфть. Нaс пугaют: нeфть кoнчится, и тoгдa сoлнeчнaя энepгeтикa (нapaвнe с дpугими aльтepнaтивaми) будeт вaшим спaсeниeм. Мoжeт быть, нo тoлькo нe тaкaя, кoтopaя зaвязaнa нa испoльзoвaниe apoмaтичeскoй opгaники. А знaчит, нeзaвисимый oт нeфти кpeмний, хoть и выглядит сeгoдня гaдким утёнкoм в сpaвнeнии с opгaничeским/нeopгaничeским гибpидoм, зaвтpa стaнeт нeзaмeнимым имeннo из-зa свoeй нeзaвисимoсти oт нeфти. Нaкoнeц, сaм пeнтaцeн oчeнь склoнeн к oкислeнию кислopoдoм вoздухa в услoвиях УФ-oблучeния (oкислeниe синглeтным кислopoдoм сoпpяжённых систeм). А гдe, кaк нe в сoлнeчнoй бaтapee, встpeтятся вмeстe пeнтaцeн, кислopoд и УФ сoлнeчнoгo свeтa? Знaчит, дoлгoвeчнoсть гибpиднoй бaтapeи нa oснoвe пeнтaцeнa вызывaeт oчeнь бoльшиe сoмнeния, кaк ee ни зaщищaй.

Инфopмaция с сaйтa elinform.ru по материалам compulenta.ru.

Некоторые примеры применения печатных батарей компания Blue Spark Technologies включают в себя интерактивную упаковку потребительских товаров, например, продуктов питания и фармацевтической продукции;полуактивные RFID-метки;смарткарты, обеспечивающие аутентификацию и безопасность при совершении операций; различные интерактивные печатные издания, такие как книги, журналы, постеры,поздравительные открытки; предметы одежды.

Производительность нового завода оценивается в более чем 300 миллионов печатных батарей в год.

Источник: http://www.bluesparktechnologies.com

Моноатомный графен, покрывающий молекулярные слои (иллюстрация Nano-Science Center, University of Copenhagen).

Со времени открытия в 2004 году графен именно так и называют — «изумительным материалом». И он действительно таков: в 200 раз твёрже стали, замечательный электрический проводник, а ещё это углеродный слой в один атом толщиной. Набор таких свойств вызвал к жизни мечты о бесчисленных применениях материала. Вот почему множество исследовательских коллективов занято разработкой методов, которые позволили бы получать и модифицировать графен. В статье, опубликованной недавно в журнале Advanced Materials, группа учёных из Копенгагенского университета сообщила о том, что одной из первых смогла химическим путём получить чешуйки графена значительного размера.

Громкие заявления о том, что наноматериалы готовы революционизировать компьютерные технологии, зазвучали лет двенадцать назад. Тогда казалось, что молекулярная электроника уже за углом, только сделай шаг, но дальше сообщений о намерениях дело не сдвинулось: ни революций, ни даже обычных лабораторных образцов.

Молекулярная электроника ставит своей целью замену традиционных электронных компонентов молекулами и создание мельчайших электронных схем для использования в сверхбыстрых компьютерах и хранилищах данных (не говоря уже о нанокомпьютерах для наномашин). Всё это, правда, красиво только на бумаге, но почему-то совершенно не реализуемо в жизни. Хотя бы потому, что вся система накоротко замыкает при попытке подключения электродов к молекулам. Неужели графен разрубил этот узел?

Исследователи утверждают, что они могут не только получать графеновые чешуйки большого размера, но и располагать их поверх молекул, защищая систему от замыканий.

Информация с сайта elinform.ru по материалам compulenta.ru.

Панели под названием Sentinel имеют необычную конусовидную конструкцию, что позволяет экономить место и поглощать максимальное количество солнечного света. Конусы высотой 1 и шириной 1,2 метра, в отличие от традиционных плоских панелей, не затеняют друг друга и позволяют создать энергостанцию с большой площадью солнечных ячеек на небольшом участке дорогостоящей городской земли. Кроме того, коническая форма значительно снижает ветровую нагрузку, что позволяет размещать Sentinel на крышах высотных зданий.

Конусовидные панели могут стать хорошим решением для городов, частных домов, морских судов и в других местах с дефицитом свободных площадей

Новый тип солнечных панелей имеет мощность 1-3,5 кВт и позволяет создавать мощные электростанции, состоящие из десятка конических модулей. При этом Sentinel производит переменный ток, поэтому нет необходимости использовать дорогостоящие инверторы, которые к тому же приводят к потерям энергии. Также панели Sentinel преобразуют в электроэнергию и солнечное тепло, которое снижает эффективность обычных кремниевых солнечных ячеек.

Благодаря оригинальной конструкции, по сравнению с плоскими солнечными панелями Sentinel вырабатывает на 40% больше электроэнергии в течение дня и на 60% - в течение года. В целом, при одинаковой площади земли, занимаемой обычной плоской и конусовидной солнечными панелями, последняя улавливает в 4 раза больше света.

При этом цена киловатт-часа, вырабатываемого Sentinel, составляет около 18 центов, что почти в 2 раза дешевле традиционных панелей и только в 2,2 раза дороже энергии газовой электростанции.

Информация с сайта cnews.ru

Достижение подтверждено Национальной лабораторией возобновляемых источников энергии (подразделение Минэнерго США). Естественно, заявления о рекордных цифрах относятся к коммерчески доступным продуктам.

Галлий-арсенидная солнечная батарея в сборе (фото TGI Solar Power Group).

Alta Devices производит батареи на основе галлий-арсенидных фотогальванических ячеек. Это куда более эффективный конверсионный материал, чем обычно использующийся не столь дорогой кремний (который в действительности весьма дорог, ведь смотря что с чем сравнивать: в каких-то случаях и кремний копеечным покажется). Для поддержания максимально низкой цены компания использует очень малое количество арсенида галлия, фабрикуя ультратонкие слои толщиной в один микрон.

Конечно, достижение впечатляет. Но, к сожалению, уже не раз можно было наблюдать, как чьи-то рекорды оборачивались полным забвением, так и не оказав никакого воздействия на рынок солнечной энергии. Тем не менее любой успех на пути повышения эффективности солнечных батарей является важным шагом к достижению солнечной энергетикой статуса настоящего конкурента ископаемым источникам.

Впрочем, для пущего вдохновения Министерство энергетики уже сегодня ставит перед компаниями, которым оно оказывает финансовую поддержку, следующую задачу: к концу текущей декады довести цену солнечной энергии до 6 центов за киловатт-час. Это необходимо для того, чтобы наглядно продемонстрировать потребителю реальную выгодность установки дорогущей батареи. И выполнение этой задачи, при всём уважении к несомненным успехам Alta Devices, невозможно без качественных изменений в солнечной технологии, начиная с применения различных нано- и фотонных материалов и заканчивая солнечно-термальными технологиями. Квинтэссенцией своих усилий Минэнерго видит завоевание солнечной энергетикой рыночной доли в 15–18% к 2030 году.

Сегодня этот показатель сильно недотягивает даже до 1%.

Информация с сайта compulenta.ru

В отличие от обычных кремниевых фотоэлектрических панелей, новая система использует возобновляемые биологические материалы, а не токсичные химические вещества. Кроме того, по сравнению с традиционными электростанциями, биоэлектрогенератор занимает меньше места, потребляет меньше воды и совершенно не нуждается в ископаемом топливе.

Для получения энергии ученые использовали ключевой компонент фотосинтеза сине-зеленых водорослей, известный как фотосистема-I (PSI). Его уже давно пытаются приспособить для производства электроэнергии, например, если нанести PSI на тонкий лист золота с нанопорами, при обучении светом начнет вырабатываться электроэнергия.

В новом исследовании удалось, наконец, сделать большой шаг к практическому применению данной технологии. Американские ученые создали комбинированный материал, состоящий из биологических и небиологических материалов. Крошечные трубки из оксида цинка покрываются частицами фотосистемы-I, и два материала тесно соединяются между собой. При освещении солнечными лучами PSI вызывает «прыжки» электронов в окиси цинка, производя электрический ток. Этот механизм на порядки эффективнее, чем предыдущие методики производства биоэлектричества, благодаря тесному сопряжению PSI с большой поверхностью наноструктурированного полупроводника. До промышленного применения новой технологии еще далеко, однако разработчики ожидают ее быстрого совершенствования. Биофотоэлектрические панели, созданные по новой технологии, будут дешевыми и простыми в производстве, что сделает солнечную энергетику доступнее.

Информация с сайта cnews.ru

Нанопроволочки до сварки (фото Mark Brongersma / Stanford University).

Одна из наиболее популярных тем научных изысканий в области наноматериалов — создание электропроводных сеток из металлических нанопроволок. Обещая нам исключительную проводимость, низкую стоимость и лёгкость производства, инженеры только и говорят о том дне, когда подобные проводящие сетки станут обыденностью в тачскринах, дисплеях, светоиспускающих диодах и тонкоплёночных солнечных батареях.

К сожалению, на пути этого светлого завтра стоит полное инженерных проблем неприглядное сегодня. Дело в том, что для спаивания крест-накрест нанопроволочек, образующих решётки, тончайшие сеточки должны быть нагреты и вдавлены друг в друга. Подобная «пытка» часто приводит к безвозвратной потере исходных образцов.

Но у любой проблемы рано или поздно найдётся своё простое и вместе с тем гениальное решение. В только что опубликованной в журнале Nature Materials статье группа исследователей из Стэнфорда продемонстрировала как раз такое изящное и многообещающее решение. Речь идёт о методе соединения, использующем энергию обычного яркого света для генерации локализованных поверхностных плазмонов, которые и нагревают проволочки, обеспечивая их спаивание.

Сердцем новой технологии является физика плазмонов — квазичастиц, отвечающих квантованию коллективных колебаний электронного газа.

Если говорить о пересекающихся крест-накрест нанопроволочках, то падающий свет будет генерировать волны плазмонов только в том месте, где нанопроволочки встречаются, образуя горячий узел. Особое изящество заключается в том, что горячий узел существует лишь до тех пор, пока нанопроволочки касаются друг друга, и сразу же исчезает, когда они сплавляются. Таким образом, процесс сварки является самотормозящимся. Остальной материал и, что не менее важно, материал, находящийся под проволочками, остаётся совершенно нетронутым.

Сравнивая электронные микрофотографии до и после сварки, легко увидеть, что отдельные нанопроволочки до освещения остаются визуально разделёнными. Они просто лежат друг на друге, как поваленные деревья в лесу. Однако во время освещения верхняя нанопроволочка начинает работать как антенна, направляя плазмонные волны на нижнюю и генерируя тем самым тепло, которое сплавляет проволочки друг с другом. Фотография, сделанная после освещения, показывает равномерно плоскую Х-образную спайку нанопроводков.

Исследователи утверждают, что новая технология могла бы открыть возможность получения сеток нанопроводников, привязанных к гибкому прозрачному пластику. Это, думается, могло бы позволить изготавливать недорогие оконные покрытия, генерирующие электричество (от солнечного света) и при этом уменьшающие засвеченность внутренних помещений. Никакие другие сварочные методики, использующие нагревательные плитки, на такое не способны.

Информация с сайта elinform.ru по материалам compulenta.ru.

К отличительным характеристикам графена, напомним, относятся металлическая проводимость в точке нейтральности, где соприкасаются зависимости энергий электронов и дырок от квазиимпульса, имеющие форму конусов, и беспрепятственный перенос электронов через потенциальные барьеры за счёт клейновского туннелирования. При создании транзисторов такие свойства ограничивают соотношение токов в открытом и закрытом состояниях, не позволяя ему подниматься выше ~10³; в условиях комнатной температуры это соотношение пока не доходило даже до 10.

Возможным решением проблемы было бы создание запрещённой зоны путём использования двуслойного и трёхслойного графена, нанолент или графана (продукта взаимодействия графена с водородом). Работы в этом направлении уже развёрнуты, однако их результаты пока не впечатляют: открытие запрещённой зоны обычно приводит к снижению «качества» графена — скажем, заметному уменьшению подвижности носителей заряда.

Упрощённая трёхмерная модель «вертикального» транзистора и полная схема расположения слоёв в его структуре (иллюстрации L. Ponomarenko / Science).

В новых экспериментах, напротив, использовался самый обычный графен, но структуру транзистора постарались сделать оригинальной. На стандартную пластину окисленного кремния исследователи нанесли сравнительно толстый слой гексагонального нитрида бора (hBN), который сыграл роль высококачественной атомарно-гладкой подложки. Поверх hBN учёные положили графен, закрытый тонкой прокладкой из гексагонального нитрида, выполняющей функции изолирующего барьера, и ещё одним монослоем атомов углерода. Последним элементом сложной конструкции, напоминающей сэндвич, стал второй толстый слой hBN.

При испытаниях устройства с такой «вертикальной» компоновкой физики прикладывали управляющее напряжение V_g между кремниевой подложкой и нижним графеновым электродом Gr_B, наблюдая за тем, как это повлияет на величину туннельного тока I. В результате выяснилось, что ток чётко следует за изменениями V_g, причём отношения значений туннельной проводимости σ = I/V_b (V_b — напряжение смещения, прикладываемое между монослоями атомов углерода Gr_B и Gr_Т), измеренной на разных V_g, доходили до ~50. Вольт-амперные характеристики транзисторов, снятые при температуре жидкого гелия и в комнатных условиях, практически совпадали.

Влияние управляющего напряжения транзистора, которое меняется с шагом в 10 В, на величину туннельного тока (иллюстрация из журнала Science).

По мнению авторов исследования, транзисторы нового типа весьма перспективны: они способны работать на очень высоких частотах и выгодно отличаются тем, что их поперечные размеры можно снизить до ~10 нм. Поскольку никаких жёстких ограничений на величину отношения токов в открытом и закрытом состоянии нет, в будущем, при оптимизации структуры и использовании более качественных диэлектриков (замене SiO₂), она также должна заметно подняться.

Информация с сайта compulenta.ru

На прошедшей в Мюнхене выставке Продуктроника 2011 ведущий производитель оборудования для обработки проводов компания «Z + F» представила ряд новинок. Одна из них - электропневматический пресс SC 05, который способен опрессовывать как изолированные, так и не изолированные ферулы, подаваемые вручную, с площадью поперечного сечения  от 0,34 мм ² до 4 мм ² и высотой опрессовки от 6 до 18 мм. Для изменения площади поперечного сечения обрабатываемого провода необходимо лишь изменить размер направляющей. Никаких дальнейших изменений и настроек не требуется. SC 05 оснащен устройством опрессовки «quadro».

Другой новинкой компании, продемонстрированной на выставке, стало новое компактное устройство АМ 02 для зачистки-опрессовки можно легко опрессовывать неизолированные ферулы, подаваемые россыпью,  с площадью поперечного сечения  от 0,5 до 2,5 мм ² и высотой опрессовки от 6 до 12 мм. При смене площади поперечного сечения провода необходимо только изменить тип наконечников для опрессовки и конусную направляющую. Стоит добавить, что AM 02 является очень удобной установкой, с сенсорным  дисплеем серии UNIC. Длительность одного цикла опрессовки составляет всего 1,5 сек., что значительно экономит временные и денежные ресурсы. 

Еще одной новинкой стал модернизированный пресс Crimper-LS, предназначенный для замены текущих версии прессов Crimper -L и -LS.

Усовершенствованная версия позволяет опрессовывать ферулы с пластиковой юбкой, подаваемые россыпью, на провода с площадью поперечного сечения от 0,34 мм2 до 4 мм2, при высоте опрессовки от 6 до 12 мм за очень короткий цикл опрессовки C 1 сек.

Сенсорный дисплей делает модернизированный пресс  Crimper -LS легко управляемым.

Наконец, последней новинкой, представленной компанией «Z+F» в рамках Продуктроники 2011, стало программное обеспечение CK01 Z + F «Сrimpforce». Данное ПО позволяет мониторить и  учитывать возрастающие требования  к качеству опрессовки и выходному контролю, особенно в автомобильной и авиационной промышленности, а также в других соответствующих направлениях. С помощью CK01 «Сrimpforce» можно контролировать доступные для этой функции устройства компании «Z+F» по усилию опрессовки, качеству опрессовки в пределах допусков и вести учёт самого процесса опресовки.

Программное обеспечение CK01 «Сrimpforce manager» является полным инструментом для визуализации, отражения всех главных параметров и документирования процесса опрессовки на компьютере.

Новый чип состоит из трех или более процессоров, сложенных вертикально и соединенных между собой. В результате повышается быстродействие и многозадачность чипа, что расширяет возможности компьютера.

До сих пор многоядерные процессоры собирали в горизонтальной плоскости, соединяя края ядер. В 3D-чипе швейцарских ученых процессоры сложены в стопку и связаны вертикально с помощью нескольких сотен сверхтонких медных трубок. Трубки проходят через крошечные отверстия под названием TSV (Through-Silicon-Vias), сделанные в кремниевом слое ядра каждого процессора. Подобная конструкция не только обеспечивает компактность процессора, но и увеличивает скорость обмена данными.

Чтобы создать 3D-чип, понадобилось преодолеть ряд серьезных технических препятствий. Так, большие проблемы вызвала хрупкость тончайших медных соединений толщиной около 50 мкм. За три года работы ученые изготовили и испытали тысячи вариантов TSV, пока получили более 900 микротрубок функционирующих одновременно.

Теперь ученые заявляют о создании эффективного производственного процесса, который в перспективе позволит производить не только «многоэтажные» 3D-процессоры, но и их высокопроизводительные наборы, действующие наподобие комплекса ядер современных многоядерных процессоров.

Прежде чем новая технология станет коммерческой и во много раз повысит производительность персональных компьютеров, ей предстоит пройти оценку в академических научных кругах.

Информация с сайта cnews.ru

Новые технологии, такие как сборка компонентов по технологии корпус-на-корпусе (package on package, PoP) или технология установки бескорпусных кристаллов на плату (chip-on-board, COB), а также задачи оптимизации расхода материалов, порождают необходимость более точного измерения реального усилия установки. Для этих целей компания Essemtec, крупный производитель оборудования для поверхностного монтажа, разработала экономичный модуль измерения усилия установки компонентов для автоматов серии FLX2011.

Измерительный модуль представляет собой зажимное устройство, в котором и происходит установка. В него можно легко вставить и зафиксировать подложку — например, печатную плату. Устройство позволяет обрабатывать подложки размером до 200×200×3 мм.

Усилие установки задается при помощи специального программного обеспечения в пределах от 0Н до 5Н с точностью ±0,5Н. В дальнейшем характеристики пружины калибруются для каждой насадки и заносятся в базу данных. Измерение усилия начинается в момент касания насадкой поверхности подложки. Результаты измерения заносятся в log-файл. Каждая одиночная последовательность усилие-траектория в процессе установки компонентов может быть подробно проанализирована и рассмотрена вплоть до отдельных установочных головок и насадок.

По словам разработчика, автоматы установки компонентов серии FLX2011 обладают полным спектром возможностей, которые обеспечивают этим автоматам максимальную эффективность в условиях многономенклатурного производства. Среди особенностей автоматов — удобное программирование и установка, интеллектуальные питатели, высокая скорость переналадки. В установочную головку могут быть встроены две дозирующие системы. Все вышеперечисленное делает автомат FLX2011 одним из самых гибких на рынке.

Информация с сайта elinform.ru по материалам essemtec.com.

На сайте правительства РФ появилось сообщение об установлении нулевых пошлин на процессоры размером до 32 нм, для обозначения которых установлен специальный код ТН ВЭД.

 Как объяснил ресурсу «Ведомости» представитель петербургского завода компании Foxconn, отмены пошлины на ввоз в Россию "многокристальных и гибридных интегральных микросхем размером до 32 нм" более года добивалась компания Intel. В таможенных правилах до этого было четыре кода с разными тарифными ставками, три из которых предполагали выплату пошлины в размере 3-5%.

Директор Intel по связям с правительственными организациями в странах СНГ Денис Гудым подтвердил позитивное отношение компании к решению правительственной подкомиссии по таможенному регулированию, так как «наличие пошлины на компоненты при ее отсутствии на готовую продукцию негативно влияет на инвестиционные решения тех компаний, которые могли бы в другой ситуации разместить производство электроники в России». «В описаниях кодов детально обозначен технологический процесс изготовления процессоров — сразу было очевидно, что Intel добивается отмены пошлин на те процессоры, которые в России не производятся»,— утверждает Гудым.

Несмотря на сообщение правительства о принятии решения с учетом интересов отечественных предприятий, реализующих инвестиционные проекты по промышленному производству чипов 90 нм, компания «СИТРОНИКС», выпускающая такие чипы, негативно отнеслась к решению об обнулении пошлин.

По мнению представителя «СИТРОНИКС» Ирины Ланиной, развитие российской электроники и микроэлектроники позволит ускорить комплекс мер, включая сниженные налоги, фиксированные льготные тарифы на энергоносители, субсидирование создания рабочих мест и обучения технического персонала, дешевые займы, система сертификации, а не отмена 3-5% пошлин.

«Принятое решение никак не стимулирует развитие отечественной микроэлектронной отрасли, не удешевляет конечную продукцию и лишь снижает налоговые поступления в бюджет», — поддержал Ланину представитель «Ангстрема» Алексей Дианов.

Информация с сайта 3dnews.ru

Поля солнечных батарей в Техасе (США) (фото iStockphoto).

Эффективность — первое, о чём думаешь, когда слышишь слово «фотовольтаика». Но есть и другой немаловажный фактор, о котором почему-то никогда не говорят, — толщина батареи. И на этом фронте есть свои победы. В последние годы учёным удалось разработать несколько путей, позволяющих серьёзно утончить фотоячейки, используя вспомогательные структуры с размером, не превышающим длину волны видимого света.

«Главная цель — найти пути применения столь малого количества материала для абсорбции света», — уверен адъюнкт-профессор Стэнфордского университета (США) Шанхуэй Фан. Высокоэффективные материалы, такие как полупроводники на основе оксидов элементов III–IV групп, а также кристаллический кремний, очень дороги. В случае других материалов, например аморфного кремния, цена может быть не столь критична, но несущие заряд электроны и дырки не успевают пройти достаточное расстояние, прежде чем «потеряться» в виде тепла. Очевидно, что чем тоньше будет рабочая среда, тем легче носители заряда достигнут его границ. При этом чем тоньше солнечная батарея, тем выше вероятность того, что фотон пройдет сквозь неё, не успев абсорбироваться.

Коммерчески доступные батареи на кристаллическом кремнии могут иметь толщину около 180 мкм. В то же время рынок уже выказывает солидный спрос на 50 мкм. Поэтому, не размениваясь по мелочам, лаборатория г-на Фана взяла курс сразу на создание солнечных батарей толщиной в 1–2 мкм. В теории специальные методики, такие как нанесение случайных текстур на поверхность фотоячеек, способны в 50 раз увеличить уровень абсорбции света ввиду изменения углов прохождения фотонов сквозь ячейку. При этом методы нанофотоники могут улучшить этот показатель ещё в 10 раз.

Один из таких методов — плазмоника. Фотоны, сталкиваясь с небольшими металлическими структурами, могут образовывать плазмоны, коллективные колебания свободного электронного газа в металле. Эффект способен резко увеличить рассеяние света внутри батареи, увеличивая вероятность того, что фотон всё-таки будет абсорбирован. Вивиан Ферри, аспирантка Калифорнийского технологического университета (США), сообщила, что её группа создаёт плазмоны, используя полусферические выпуклости на контактах солнечной батареи (90 мкм) из аморфного кремния. Г-жа Ферри утверждает, что такой наноструктурированный продукт производит на 15% больше тока, чем коммерческая солнечная батарея той же площади, покрытая случайными текстурами.

Ультратонкая солнечная панель Sanyo. В 2009 году — мировой рекордсмен с конверсией света в 22,8%. (Фото Sanyo.)

Ещё один любопытный нанофотонный трюк заключается в использовании фотонных кристаллов для создания рефлектора. Благодаря периодическому изменению коэффициента преломления фотонные кристаллы позволяют получить разрешённые и запрещённые зоны для фотонов с разной энергией. Другими словами, такой кристалл способен выполнять функцию оптического фильтра или рефлектора. При падении на него фотона с длиной волны, которая не соответствует разрешённой зоне, фотон не может распространяться в кристалле и отражается обратно (в рефлектор). Миро Земан, глава исследовательской группы фотонных материалов и приборов Делфтского технологического университета (Нидерланды), рассказал, что его группа разместила фотонные рефлекторы как в середине батареи, так и на её задней стороне. Постоянные переотражения света на рефлекторах приводят к световым колебаниям внутри кремния, многократно повышая вероятность конвертации фотонов света в электрический ток.

Другая фотонно-кристаллическая схема базируется на использовании микрометровых структур кристаллического кремния, слой которого может быть затем легко соединен со слоем аморфного кремния. По словам Оунси Эль-Дейфа, исследователя из микроэлектронного центра IMEC в Лёвене (Бельгия), теоретически такой фотонно-кристаллический слой способен увеличить эффективность абсорбции фотонов до 37%.

К сожалению, всем этим технологиям потребуются годы, чтобы стать коммерческими продуктами. Но, может быть, в этот раз и стоит подождать...

Информация с сайта ostec-group.ru

В этом году корпорация Intel намерена выпустить свои первые процессоры с 22-нм транзисторами, которые носят кодовое имя Ivy Bridge. Кремний будет использоваться в индустрии ещё долго, однако его потенциал подходит к пределу, а токи утечек постоянно растут, из-за чего исследователи активно ищут материал, который придёт ему на смену. Эти новые прототипы углеродных транзисторов, создаваемых IBM, могут со временем стать хорошей заменой для применения в микропроцессорах и других интегральных схемах.

Сообщается, что 9-нм транзисторы IBM могут обеспечить куда меньшее энергопотребление, чем их кремниевые аналоги того же размера. Они также могут проводить больше тока, чем конкурирующие транзисторы.

Увы, но технологии, используемые для создания транзисторов на основе углеродных нанотрубок, в настоящее время не могут применяться в массовом производстве. Учёные пока не разработали способа, при помощи которого могло бы стать возможным эффективное размещение миллионов и миллиардов таких транзисторов, необходимых для создания современных чипов. Создание нанотрубок без металлических примесей также является сложной задачей.

Информация с сайта 3dnews.ru

В настоящее время современные OLED-дисплеи имеют достаточно маленькие размеры и используются в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшетные ПК. По сравнению с обычными LCD они характеризуются большей контрастностью, так как OLED-пиксели светятся только при активизации, что обеспечивает большую интенсивность черного цвета. Кроме того, у OLED меньше время отклика, что позволяет повысить качество изображения. OLED могут также потреблять меньше энергии в зависимости от применения, при этом обеспечивая большую контрастность и более широкий диапазон угла обзора, по сравнению с обычными LCD. OLED также более просты по конструкции и содержат меньше компонентов по сравнению с LCD, что позволяет значительно снизить производственные затраты.

Цель новой программы — разработка гибких OLED-дисплеев с высокой разрешающей способностью. Основные задачи программы по разработке следующего поколения OLED-дисплеев: механически гибкая герметизирующая пленка и TFT-панель с высокоэффективными OLED-материалами. Будут разработаны новые материалы и процессы, которые позволят снизить себестоимость продукции, повысить качество, снизить энергопотребление, сделать продукцию более надежной и гибкой. Кроме того, будут пересмотрены схемы пикселей и матрица TFT-панели, поскольку увеличивающаяся область отображения влияет на количество пикселей на дюйм или частоту регенерации. В заключение, программа также нацелена на развитие нового производственного оборудования, как высокоточного оборудования для изготовления панелей и инструментов для интегрированного производства рулонной продукции.

Электросхема на куске гибкого пластика, созданная серебряными чернилами с помощью аэрографа

Ученые из университета Иллинойса, США разработали новые реактивные серебряные чернила для печати высокоэффективной электроники на  распространенных недорогих материалах, таких как гибкие пластики, бумага или ткань.

Это не первый пример проводящих ток чернил, в том числе и подобных составов на базе серебра. Но впервые ученым удалось избежать применения коллоидных частиц, взвешенных в растворе.
В основе новинки - раствор ацетата серебра и аммиака. При печати жидкие компоненты быстро испаряются, оставляя на поверхности тонкий металлический слой.

 
Новые чернила фактически прозрачны (фото S. Brett Walker, Jennifer A. Lewis/ American Chemical Society)

Авторы разработки насчитали сразу несколько преимуществ этих чернил перед предшественниками. Во-первых, такой состав может быть приготовлен в считанные минуты, тогда как для прежнего варианта со взвесью микроскопических частиц серебра требовались часы. После приготовления раствор остаётся стабильным в течение нескольких недель.
Кроме того, новые чернила могут беспрепятственно проходить через сопла с диаметром 100 нанометров, что в 10 раз меньше, чем допустимый размер для смесей на основе твёрдых коллоидных частиц. Благодаря этому повышается разрешение печати.

Еще одно преимущество - низкая вязкость, что делает возможным применение чернил как в струйном принтере, так и в аэрографе.

Для закрепления таких проводящих дорожек, как и в прежних методах, применяется отжиг, но уже при меньшей температуре – всего 90 градусов Цельсия. Это расширяет список материалов для подложки, пригодных для работы с новыми чернилами.

По словам ученых, данное изобретение будет полезным при создании гибких солнечных батарей и антенн, компонентов сенсоров и аккумуляторов, одежды со встроенной электроникой и т.д.

Корпорация Indium, заводы которой расположены в Великобритании, США, Китае, Сингапуре и Южной Корее, является ведущим поставщиком материалов на мировые рынки электронной аппаратуры, полупроводников, солнечной энергии, тонкопленочных и теплоотводящих изделий.

Компания будет использовать Horizon 01iX DEK для разработки, испытания и аттестации паяльной пасты.
Росс Бернтсон, вице-президент по продажам, маркетингу и техническому сопровождению Корпорации Indium комментирует: «И DEK, и Indium имеют большой опыт поставок на мировой рынок электроники, и потому я считаю данное сотрудничество прекрасной возможностью объединить наш опыт. С установкой для трафаретной печати Horizon 01iX Indium будет в состоянии повысить качество продукции и услуг, которое мы можем предложить нашим заказчикам».

Пеланд Кох, директор по производству электроники DEK добавляет: «Подписание контракта с Indium является результатом весьма успешного участия компании DEK в выставке Productronica 2011. Мы ожидаем развития и упрочнения нашего долгосрочного партнерства с Корпорацией Indium и сотрудничества в будущих проектах».

Целью исследователей стало преодоление классического предела эффективности «захвата» излучения, который ещё в 1982 году установил Эли Яблонович, рассматривая объёмные однородные полупроводники. Его теория действует в случае простых световых «ловушек», описываемых с позиций геометрической оптики и построенных на эффекте полного внутреннего отражения на границе раздела полупроводника (скажем, кремния с показателем преломления n = 3,5) и окружающей среды — воздуха. Чтобы увеличить длину пути излучения в материале, максимизировать поглощение и приблизиться к фундаментальному пределу, поверхность раздела в таких схемах текстурируют.

Проведённые Яблоновичем расчёты, однако, неприменимы к современным солнечным элементам, которые могут иметь неоднородную структуру и толщину, сильно уступающую длине волны излучения. Здесь, как доказали авторы новой работы, традиционный предел можно преодолеть за счёт увеличения локальной плотности фотонных состояний в поглощающей области устройства.

Моделирование «плазмонного» солнечного элемента (иллюстрация авторов работы).

Американцы также проанализировали разные способы увеличения плотности состояний, установив, что требуемого эффекта можно добиться с помощью металлических покрытий, фотонных кристаллов, размещаемых над или под активным слоем, или плазмонных элементов. Последний вариант разобран на рисунке выше, где показаны результаты расчётов для органического поглощающего слоя P3HT:PCBM толщиной 10 нм, на который наносятся периодические массивы серебряных резонаторов. Красным, оранжевым и синим обозначена доля излучения, поглощаемая при использовании массивов с разными параметрами, серым — показатели «чистого» P3HT:PCBM, чёрным — предел Яблоновича.

Предсказать, когда такие технологии начнут применяться на практике, трудно: модификация структуры солнечного элемента, разумеется, усложняет процесс его изготовления, а вместе с этим растёт и его стоимость.

Информация с сайта compulenta.ru

«Этот стандарт позволит вам рассмотреть совершенно разные типы оборудования и лучше сравнить, насколько хорошо они будут работать в ваших условиях», — заявляет Майкл Селински (Michael Cieslinski), ведущий инженер компании Panasonic Factory Solution Company of America и председатель подкомитета Ассоциации IPC по оборудованию для установки компонентов (SMT Component Placement Equipment Subcommittee), выпустившего обновление стандарта IPC-9850.

Сравнение показывает, как производительность оборудования меняется в зависимости от роста требований к точности. Расчеты производятся при помощи установки тестовых компонентов на испытательную плату, параметры которой устанавливаются стандартом. На эти платы устанавливается разнообразное количество компонентов пяти различных типов.

По словам Криса Роберсона (Kris Roberson), руководителя направления технологии сборки в Ассоциации IPC, если заказчик желает сравнить двух разных поставщиков оборудования для установки компонентов, стандарт IPC-9850A позволит корректно сравнить скорость установки и возможности техпроцесса.

Теперь стандарт IPC-9850A соответствует общим методологиям анализа измерительных систем (measurement system analysis, MSA) и совместим с методами, используемыми Американским обществом специалистов по контролю качества (American Society For Quality , ASQ) и другими группами специалистов. Новый метод рассчитывает расширенную погрешность измерения (expanded measurement uncertainty, EMU), объединяющую все погрешности измерения системы. В расширенную погрешность измерения входят: колебания повторяемости и воспроизводимости измерений (gage repeatability and reproducibility, GR&R), погрешности нелинейности, разрешения, гистерезиса, а также погрешности, привнесенные процедурой измерения. Вычисление EMU — это наиболее строгое испытание измерительных возможностей, поскольку при этом добавляется учет различных факторов, не рассчитываемых в отчете по точности и повторяемости средств измерения из исходного стандарта IPC-9850 при одновременном сохранении допустимой оценки повторяемости и воспроизводимости на том же самом уровне, не превышающем 25%.

Информация с сайта elinform.ru по материалам ipc.org.

До сих пор априори считалось, что при таких размерах квантовые эффекты будут сильно искажать действие закона Ома и не позволят наноэлектронным приборам работать в соответствии с ними.

Постоянное уменьшение размеров электронных схем уже в ближайшем времени может привести к тому, что в их работу станет вмешаться квантово-механическая неопределенность. Чтобы понять, случится ли это и, если да, то в каких масштабах, австралийские физики из Университета Нового Южного Уэльса разработали метод, позволяющий создавать в кристаллическом кремнии наноструктуры, проводящие электрический ток. Они сделали это, добавляя в кристалл атомы фосфора. На внешней орбите атома фосфора имеется на один электрон больше, чем у атома кремния, и если заменить кремний фосфором в кристаллической решетке, то там возникнет свободный электрон, способный стать проводником тока.

Используя сканирующий зондовый микроскоп, ученые убрали его острием четыре слоя атомов кремния, а затем обработали поверхность фосфорным газом, создав таким образом цепочку атомов, способную проводить электрический ток. Выяснилось, что, как и положено по закону Ома, такая цепочка имеет электрическое сопротивление, прямо пропорционально ее длине и обратно пропорционально площади ее сечения.

Австралийцы утверждают, что промышленного значения для электроники их методика не имеет. Больше того, свой эксперимент они проводили вовсе не для того, чтобы понять квантовые пределы электронной миниатюризации. Их основное занятие — квантовые компьютеры, и ученые убеждены, что подобные фосфорные цепочки в теле кремниевого кристалла можно будет использовать в качестве элементарных ячеек квантового компьютера, кубитов.

Информация с сайта elinform.ru по материалам cnews.ru.

IPC Outlook будет обновляться еженедельно. Планируется, что основные регулярные рубрики будут включать такие разделы, как отмывка, обзор новой продукции, экспертная оценка по обеспечению качества, анализ дефектов, материалы, производственный участок, система поставок и обновления IPC.

«В ближайшее время мы планируем переместить наш информационный бюллетень IPC Review в IPC Outlook. Это позволит предоставлять информацию на более своевременном и оперативном уровне», - комментирует Ким Стерлинг, вице-президент IPC по маркетингу и коммуникациям. «Я считаю, что это потрясающая возможность для огромного количества специалистов, занимающихся производством электроники, обмениваться информацией, а также повышать свой профессиональный уровень».

Подписка на IPC Outlook бесплатная.

Подписаться можно по следующему адресу: www.IPCOutlook.org.

«Нарушение цепочек поставок в результате наводнения в Таиланде повлияло на продажи полупроводников в ближайшей перспективе. Однако OEM-производители, как ожидается, восстановят производственные потери  в ближайшие несколько месяцев, — заявил президент SIA Браян Тухи (Brian Toohey). — На ноябрьские продажи дополнительно повлиял продолжающийся европейский финансовый кризис, который оказывает широкое влияние на другие экономики и мировой спрос».

Несмотря на проблемы с цепочкой поставок в ближайшей перспективе и трудности мировой экономики, существует большая вероятность, что 2011 год индустрия закончила ростом, а в 2012 году, как считает SIA, ситуация будет продолжать улучшаться.

Информация с сайта 3dnews.ru

Исследователи из Киотского университета объявили о прорыве и больших перспективах в создании сверхскоростных транзисторов и высокоэффективных фотоэлементов.

Работая с обычным и широко распространенным полупроводниковым материалом, арсенидом галлия (GaAs), ученые заметили, что облучение образца GaAs терагерцевыми (1000 гигагерц) импульсами электрического поля вызывает лавину пар электрон-дырка (экситонов).

За один цикл с длинной импульса всего лишь около пикосекунды (10^-12 с), плотность экситонов по сравнению с исходным состоянием образца увеличивается в 1000 раз. Терагерцевый импульс создается с помощью интенсивного (1 МВ/см²), в результате лавину экситонов можно наблюдать благодаря яркой люминесценции в ближнем инфракрасном спектре.

Пикосекундные терагерцевые импульсы вызывают лавину экситонов из арсенида галлия

Открытие японских ученых может найти применение в самых разных областях науки и техники. Так, авторы открытия изначально работали над новыми технологиями получения изображений биологических тканей. В частности волны терагерцевого излучения могут помочь создать микроскоп, позволяющий заглянуть внутрь живых клеток и наблюдать за процессами внутри них в режиме реального времени.

Данное явление можно применить в перспективных сверхскоростных устройствах, например лавинных фотодиодах с фемтосекундным разрешением и чувствительностью к одному фотону, а также эффективных электролюминесцентных и фотоэлектрических устройствах нанометрового масштаба.

Информация с сайта cnews.ru

Хольст-центр и IMEC анонсировали разработку МЭМС, преобразующей механическую энергию вибрации в электрическую. Результаты моделирования и измерений показывают, что разработанные МЭМС могут быть также использованы для преобразования энергии ударов в автомобильных шинах для питания встроенных в них датчиков. Расположенное в шине, новое устройство при езде со скоростью 70 км/ч может стабильно генерировать 42 мВт, что вполне достаточно для питания простого беспроводного датчика.

Инновационное устройство состоит из консоли с пьезоэлектрическим слоем, расположенным между двумя металлическими электродами, формируя конденсатор. Сверху консоли закреплен грузик, преобразующий вибрацию в движение по вертикали, создавая механическое напряжения в пьезоэлектрическом слое и, соответственно, электрическое напряжение между обкладками конденсатора. В качестве пьезоэлектрического материала использовался  нитрид алюминия. Разработанные МЭМС могут быть изготовлены с использование недорогих процессов массового производства.

Максимальная выходная мощность преобразователя составила 489 мкВт, когда частота вибраций совпала с резонансной частотой преобразователя равной 1011 Гц.

Микропреобразователи энергии, например такие, как представленный, могут размещаться на промышленном оборудовании, создающим вибрации или подверженном повторяющимся ударам, для генерации электрической энергии для питания миниатюрных автономных датчиков в тех случаях, когда замена батареек непрактична. Использование микропреобразователей энергии позволит массово создать системы мониторинга. Примером может служить система мониторинга давления в шинах и ее дальнейшее развитие: автомобильная шина со встроенными датчиками, отслеживающими давление в шине и целостность шины, состояние дороги и стиль вождения.

Источник: www.holstcentre.com

Команда ученых из Университета Иллинойса разработала уникальную технологию саморемонта электросхем, которая за доли секунды восстанавливает электрическую проводимость оборванной цепи.

Когда в интегрированном микрочипе появляется даже микроскопическая трещина, замыкание или обрыв цепи приводят к полному отказу всего устройства. Хорошо если микрочип мог бы починить себя, причем починить так быстро, что пользователь даже не заметил бы поломки. Это в корне изменило бы подход к проектированию и изготовлению электронных устройств: вместо дублирования цепей и датчиков самодиагностики, нужна лишь система саморемонта, которая мгновенно исправляет поломку. Это особенно актуально сегодня, поскольку современные электронные устройства выполняют все более сложные и ответственные задачи, а микрочипы «упакованы» настолько плотно, что даже колебания температуры или усталость материалов могут привести к поломке и отказу всего устройства.

Самовосстановление цепи. Микрокапсулы, наполненные жидким металлом, расположены на золотой цепи. Когда цепь обрывается, микрокапсулы разрушаются, заполняют трещину и восстанавливают цепь

Обычно эти проблемы решаются периодической заменой проработавших несколько лет электронных устройств на новые (как в случае с мобильными телефонами). Однако для многих сфер, например космической, транспортной или военной, такой подход неприемлем.

Команда американских ученых смогла адаптировать свою старую разработку, самовосстанавливающиеся полимерные материалы, для электросхем. Исследователи расположили крошечные (10 мкм в диаметре) микрокапсулы на золотой цепи микросхемы. В случае образования трещины или обрыва цепи, микрокапсулы повреждаются, и жидкий металл заполняет трещину или место обрыва, вновь восстанавливая цепь. Этот процесс занимает считанные микросекунды и даже при небольшом количестве микрокапсул восстанавливает 90% опытных микросхем до уровня 99% от первоначальной проводимости.

Самовосстанавливающиеся электронные системы имеют огромные преимущества перед традиционными. Прежде всего, они более надежны, могут работать автономно, не требуют диагностики и восстанавливают повреждения мгновенно. Все это позволит в будущем удешевить электронику за счет отказа от дублирования цепей и диагностических систем, продлит срок службы устройств, а также позволит «со спокойной душой» доверить электронике жизнь людей.

Информация с сайта cnews.ru

Методика испытаний ориентирована на восьми расположенных по окружности точках контакта. Печатная плата в сборе с единственным корпусом BGA располагается на опорных штифтах в центре печатной платы стороной монтажа вниз, при этом нагрузка осуществляется на нижнюю сторону корпуса BGA. Датчики деформации размещаются рядом с компонентом по рекомендованной схеме. Печатная плата в сборе изгибается до требуемого уровня деформации, после чего проводится анализ неисправностей для определения степени повреждения, вызванного изгибом до данного уровня деформации. Для определения деформации, при которой не происходит повреждение и которая является пределом деформации, используется итеративный метод.

«Эти пределы деформации могут затем использоваться на практике для снижения риска уменьшения надежности, являясь гарантией того, что деформация изделия не превысит данные пределы», - прокомментировал Эйлин Аллен, инженер по надежности Hewlett Packard и член целевой группы по методам испытаний на надежность, которой велась разработка приложения к стандарту IPC 6-10d SMT.

Тонкая полимерная пластинка на основе нанотрубок позволяет подзаряжать имплантаты с помощью лазера

Устройство на основе углеродных нанотрубок завернуто в лист из 3-гексилтиофена и диметилсилоксана, который эффективно преобразует лазерное излучение в тепловую энергию, а затем в электричество. Преобразователь гибкий и компактный, что позволяет использовать его в различных медицинских приложениях. Управление устройством происходит с помощью лазерного излучения определенного диапазона, легко проникающего сквозь живые ткани.

Материал имплантируемого генератора гибок и не вызывает воспаления

В ходе экспериментов, ученые поместили новый имплантат-генератор под кожу лабораторной мыши. Устройство надежно производило электроэнергию при облучении лазером с расстояния 20 мм. После 32 дней экспериментов никаких следов воспаления или других побочных эффектов имплантации не наблюдалось, а подопытная мышь набирала вес, точно так же, как и ее собратья из контрольной группы.

Новая технология может решить проблему питания подкожных и мышечных имплантатов, которые помогут тысячам больных, например диабетом, непрерывно контролировать состояние своего здоровья. Имплантируемые датчики намного удобнее и надежнее, чем различные приборы, требующие анализ крови. Заряжать такие датчики можно будет очень просто: приставив к руке небольшой фонарь с лазерным диодом.

Информация с сайта cnews.ru

Авторы технологии утверждают, что при экспериментах им удавалось восстанавливать проводимость в 90% случаях намеренного повреждения дорожек даже при относительно небольшом количестве капсул в теле проводника.

По их мнению, технология в основном найдет применение там, где обычный ремонт дорожек затруднен или невозможен. Кроме этого, есть немало видов техники, где нагрузки на электронику часто бывают запредельные, а выход из строя части схемы весьма критичен. В первую очередь это военные и аэрокосмические сферы деятельности.

Информация с сайта 3dnews.ru

Доктор Питер Дикинсон, главный исполнительный директор Spectrum прокомментировал: «CAPRIS 50-100 была специально разработана для недорогой замены маркировки проводов горячим тиснением, которая считается агрессивным технологическим процессом. В частности, этот способ маркировки неприемлем для тонких монтажных проводов в аэрокосмической промышленности. В этом году спрос на данные системы был очень устойчивым, и это замечательно, что мы смогли достигнуть такого значительного числа — 250». 

Технология, разработанная под руководством Прашанта Камата из Центра нанотехнологий (NDnano) Университета Нотр-Дам, основана на квантовых точках — микроскопических фрагментах проводника или полупроводника, которые содержат электроны проводимости.

Чтобы получить их, г-н Камат и его коллеги покрыли наночастицы диоксида титана в одном случае сульфидом кадмия, а в другом — селенидом кадмия. Затем частицы были растворены в смеси воды и алкоголя, чтобы получилась суспензия, по консистенции близкая к обычной краске. Она имела жёлтый либо тёмно-коричневый цвет, а наиболее эффективным был «коктейль» из паст светло-коричневого оттенка.

Если нанести это вещество на проводящий материал и подвергнуть действию солнечного света, он начнёт вырабатывать электричество. Правда, максимальный КПД, которого удалось добиться изобретателям, составил всего 1%. У применяемых сейчас преобразователей солнечной энергии этот показатель равняется в среднем 10–15%. Но г-н Камат не унывает: даже если «солнечную краску» не удастся сделать более эффективной, её можно производить в больших количествах без особых затрат.

Информация с сайта compulenta.ru

Иллюстрация Roger Du Buisson / Corbis.

По оценкам, в 2011-м будет отгружено полупроводниковых чипов на $302 млрд. Рост по сравнению с 2010-м, когда объём рынка оценивался примерно в $299 млрд, составит всего 0,9%. Аналитики отмечают снижение заказов на полупроводниковые изделия, что объясняется нестабильностью экономической ситуации и падением покупательной способности в отдельных регионах.

Двадцатый год подряд крупнейшим поставщиком на рынке остаётся Intel. Причём в 2011-м доля корпорации достигла исторического максимума в 16,9%: по итогам года Intel, как ожидается, отгрузит продукции на $51,1 млрд.

На втором месте со значительным отрывом находится Samsung: южнокорейский производитель занимает 9,7% отрасли, что в денежном выражении составляет $29,2 млрд.

Замыкает тройку крупнейших поставщиков полупроводниковых чипов Texas Instruments с 4,0% рынка и оценочной выручкой в $12,1 млрд по итогам 2011 года.

Информация с сайта elinform.ru по материалам compulenta.ru.

«Микрочиповая революция» привела к уменьшению размеров цепей и упаковке огромного количества транзисторов в небольшом объеме. Однако в последние годы кремниевые чипы столкнулись с принципиальными ограничениями, в частности их размеры приблизились к длине волны света. В итоге начались разговоры о близкой кончине эры кремниевой электроники и необходимости применения альтернативных материалов, например графена.

Однако технология, разработанная исследователями из Массачусетского технологического института и Университета штата Юта, открывает новые возможности для дальнейшего уменьшения кремниевых чипов при одновременном повышении их вычислительной мощности.

Новая технология производства кремниевых чипов использует сочетание интерференции между двумя источниками света и фотохромного материала, который меняет цвет при освещении лучом света. Ноу-хау является добавление специального фоторезиста, полимерного светочувствительного материала, который используется для получения рисунка на чипе. С помощью фоторезиста создается шаблон для последующего химического травления и изготовления сложной структуры будущей микросхемы.

Ключом к преодолению ограничения длиной волны света стал оптический эффект, называемый «снижение стимулированной эмиссии» (STED). В своих опытах ученые облучали лазером специальный флуоресцентный материал и заметили, что при падении мощности лазера флуоресценция прекращается, оставляя темное пятно. Оказывается, если тщательно контролировать мощность лазера, можно оставить темное пятно намного меньшее, чем длина волны лазерного излучения. Таким образом, эти темные пятна могут служить шаблонами для создания невозможных доселе микроструктур кремниевого чипа.

Традиционная фотолитография не может произвести чипы с точностью меньше, чем длина волны света. Новая технология позволяет изготавливать микрочипы с точностью одной восьмой от современных. В перспективе данная технология может быть усовершенствована для производства еще более компактных микрочипов.

Новая технология изготовления сверхкомпактных кремниевых микрочипов основана на широко используемых процессах фотолитографии и может быть легко внедрена в промышленное производство. Таким образом кремниевые чипы еще долгое время не сдадут позиции и смогут нарастить мощность и энергоэффективность.

Информация с сайта cnews.ru

Компактный, точный и исключительно простой в использовании: таковы характеристики нового устройства печати от компании Essemtec. Высокоточное программируемое устройство может быть расположено на столе, что делает его хорошо подходящим для небольшого гибкого производства. Также, при необходимости, устройство может монтироваться на надежном стальном основании.

В системе Fino имеется ряд отличий от других настольных установок трафаретной печати: терминал программирования с сенсорным экраном, визуальное совмещение при помощи лазера и быстрая пневматическая фиксация рам для натяжения трафаретов. Кроме того, все движения ракеля моторизированы и, следовательно, являются программируемыми и воспроизводимыми. Благодаря этим особенностям, установка и переналадка системы Fino проходит быстрее, чем у других устройств, и обеспечивается более высокое качество печати.

Двухцветные камеры технического зрения обеспечивают надежную печать при малом шаге выводов. Камеры обозревают основание прямо через трафарет, и печать происходит сразу после контроля совмещения, устраняя дополнительные перемещения. Система Fino производит печать на одно- и двухсторонних ПП, керамике и фольговых материалах — при помощи стола с вакуумной фиксацией. Особенностью Fino является возможность печати без полей на платах размером до 450×500 мм. Могут использоваться рамы для натяжения трафаретов размером вплоть до 23″ (58,4 мм).

Информация с сайта elinform.ru

Компания Fuji Machine Manufacturing Co. Ltd. выпустила новейшую систему трафаретной печати. Система NXTP-M25 распространяет модульный принцип всемирно известной серии автоматов установки компонентов NXT на операцию печати. Это высокопроизводительное и компактное устройство трафаретной печати поддерживает двухдорожечный конвейер и поэтому хорошо подходит для работы с групповыми панелями при изготовлении миниатюрных электронных устройств, таких как смартфоны, планшетные компьютеры и цифровые камеры.

Установка печати NXTP-M25 хорошо работает совместно с серией автоматов установки компонентов NXT IIc компании Fuji, позволяя достигать максимальной производительности при минимуме занимаемой площади. Одна установка NXTP-M25 может быть использована при производстве одних и тех же панелей на обеих дорожках. В качестве альтернативы вы можете расположить две установки в ряд, чтобы увеличить производительность при производстве разных панелей (или верхней и нижней части одной панели) на каждой дорожке.

Еще одно преимущество использования двух установок NXTP-M25 состоит в том, что вторая дорожка может использоваться для транспортировки панелей и продолжения производства, даже если одна из дорожек конвейера печати по какой-либо причине останавливается. Аналогично, при производстве разных панелей на разных дорожках, можно произвести переналадку одной из них, не прекращая работу другой. Это ликвидирует ненужные простои линии и ускоряет производство.

Так же, как и автоматы установки компонентов серии NXT, система NXTP-M25 управляется с одной стороны и отличается возможностью расположения установок «спина к спине», что повышает эффективность использования производственных площадей.

Система NXTP-M25 обладает высокой точностью, необходимой для выполнения современных задач печати. Точность размещения трафарета составляет ±10 мкм. Установка также отличается малым усилием зажима, что уменьшает коробление панели при фиксации.

С целью снижения эксплуатационных расходов NXTP-M25 регулирует подачу моющего средства в зависимости от размера трафарета и реализует автоматический способ подачи паяльной пасты (опция), обеспечивая минимально возможное количество отходов.

Информация с сайта elinform.ru.

Компания Essemtec, швейцарский производитель производственных систем для электронной промышленности, разработала полностью автоматическую систему 3D дозирования и установки компонентов Hydra. Разработка велась в тесном сотрудничестве с производителем устройств 3D-MID. Функционирование системы Hydra сходно с функционированием стандартной системы установки поверхностно монтируемых компонентов, вследствие чего ее можно легко встроить в типовую производственную линию.

Компания Essemtec совместила стандартную систему 2D-установки компонентов серии Paraquda с 6-осевым роботом. Робот перемещает держатель монтажного основания так, чтобы установочная поверхность всегда располагалась горизонтально. Благодаря такой концепции для системы 3D-установки Hydra можно использовать те же питатели, что и для обычных автоматов, те же запасные части, систему технического зрения и даже устройства захвата. Программное обеспечение и система управления Paraquda легко наращивается с помощью устройства управления роботом.

Система Hydra способна наносить клей практически в любую позицию и осуществлять точную установку SMD-компонентов. Четырехосевая сборочная головка может устанавливать до 2500 компонентов в час в 3D-режиме и до 7000 компонентов в час — в 2D-режиме.

Область установки компонентов составляет 300×160 мм. Сборочная головка может перемещаться по вертикальной оси в пределах 50 мм, позволяя таким образом устанавливать компоненты в глубокие полости. Размер устанавливаемых компонентов может варьироваться от 01005 до 20×20 мм при максимальной высоте 18 мм. Система обладает встроенным конвейером и быстро переналаживается, что делает ее подходящей как для серийного, так и для мелкосерийного или опытного производства.

Информация с сайта elinform.ru.

Эти ленты получили название «Борные наноленты». Такие ленты, как следует из названия, созданы из материала на основе бора. Используемые попарно, они способны повысить теплоотдачу полупроводниковых приборов на 45%. По мнению исследователей, подобные свойства могут быть характерны и для других тонкопленочных материалов. «Нам удалось открыть совершенно новый способ отведения тепла от электронных приборов, который наверняка найдет свое применение в различной технике, в первую очередь в мобильных устройствах», - заявил Грег Уокер, один из исследователей.

Две ленты удерживаются между собой слабым электростатическим взаимодействием (силы Ван-дер-Ваальса). Именно благодаря этому взаимодействию ленты и способны эффективно проводить тепло. Ученые могут контролировать степень теплопроводности за счет сочетания различных типов лент. Примечательно, что если ленту смочить чистым спиртом и дать ей высохнуть, то ее теплопроводность увеличивается, а если после этого проделать то же самое, но с изопропиловым спиртом, то она принимает исходное значение.

Информация с сайта 3dnews.ru

В рамках эксперимента исследователям удалось создать переключатель с внутренним диаметром менее 0,5 нм. По их утверждению, это самый маленький в мире переключатель такого типа. Он позволяет перемещать протон на одну из четырёх позиций (или переключать устройство в одно из четырёх состояний) на скорости до 500 изменений состояния в секунду.

Эксперимент является демонстрацией переключения на молекулярном уровне. Пока что исследователи не знают практического применения своей разработке в ближайшем будущем, но уверены, что созданный переключатель представляет собой весомый шаг в развитии технологий наномасштаба.

Информация с сайта 3dnews.ru

Руководителем комитета назначен президент корпорации Conductive Compounds, Inc. Дон Банфилд (Don Banfield).

“С помощью Ассоциации IPC у нас появится возможность продолжить экспансию печатной электроники и вывести эту перспективную технологию на широкий международный рынок”, - заявил г-н Банфилд.

Мировой лидер по технологиям и автоматическому оборудованию для нанесения клеев и паяльных паст методом трафаретной печати компания DEK объявила о запуске нового сайта для клиентов по технологической поддержке продуктов (Process Support Product, PSP) http://www.dekpsp.com/.

С помощью нового сайта пользователи смогут быстро находить интересующую их информацию о продуктах компании DEK, не заходя на головной сайт.

Комментирует Брайан Ло (Brian Lau), директор подразделения технологической поддержки продуктов и финансового управления компании DEK: «Все, что мы разрабатываем в нашей компании - мы делаем в ответ на пожелания наших клиентов. Основная цель компании DEK – помочь нашим клиентам сократить риск возможного вынужденного простоя производства и максимально увеличить производственную эффективность, и открытие нового сайта – еще один пример реализации нашей цели».

Это уже третий рекорд Heliatek в области органических фотогальванических элементов. В прошлом году специалистам компании удалось повысить КПД ячеек до 8,3% для активной поверхности площадью 1,1 см². Теперь химикам удалось усовершенствовать процесс осаждения малых молекул при низкой температуре, который уже получил широкое распространение в производстве органических светодиодов (OLED). Благодаря этой методике производства, Heliatek удалось достичь для органических солнечных ячеек эффективности преобразования солнечного света в электричество, сравнимой с традиционными элементами из аморфного кремния. Для повышения КПД на 1,5 % потребовалось оптимизировать дизайн слоя, поглощающего свет, и улучшить процесс осаждения молекул на поверхность солнечной ячейки.

Органические солнечные панели могут стать самым дешевым и распространенным источником электроэнергии

Полномасштабное производство новых гибких, тонких и легких панелей начнется в 2012 году. Они будут применяться в качестве электрогенерирующего покрытия крыш и стен зданий. В следующем году специалисты Heliatek планируют повысить КПД их солнечных ячеек до уровня более 10%, а в перспективе он превысит 15%. Органические панели изготавливаются из недорогих проводящих органических полимеров, которые поглощают свет и транспортируют электрический заряд. Потенциально органические солнечные панели имеют самую широкую сферу применения, которая сегодня ограничивается лишь их низким КПД. Они очень дешевы, и электрогенерирующая одежда, предметы обихода, покрытия на крышах домов, автомобилей и т.д., не сильно повысили бы стоимость этих привычных вещей. Кроме того, гибкие панели просто устанавливать, демонтировать и транспортировать.

Информация с сайта cnews.ru